品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ850EP-T2_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1225pF@30V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF06LAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:7.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ850EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1225pF@30V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ850EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1225pF@30V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6266E
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@30V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:13.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M33-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:10.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:7.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M33-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:10.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD20NF06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M33-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:10.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ850EP-T2_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1225pF@30V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD30N6LF6AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ850EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1225pF@30V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ850EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1225pF@30V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6266E
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@30V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:13.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6042SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:584pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@5.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M33-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:10.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M33-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:10.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:628pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD30N6LF6AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6266E
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@30V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:13.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: