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    ROHM Mosfet场效应管 RS1E240BNTB 起订4个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E240BNTB 起订4个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E240BNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR172ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:29.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6380 起订15个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6380 起订15个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6380

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:26W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:6.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:825pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:40pF@15V

    导通电阻:5.6mΩ@10V,20A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21321 起订16个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21321 起订16个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€24W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21321 起订2500个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21321 起订2500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21321

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€24W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21307

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€28W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1995pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7619DN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7619DN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7619DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€27.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:21mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21307

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€28W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1995pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21307

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€28W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1995pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E240BNTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E240BNTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E240BNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订2000个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订2000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21307

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€28W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1995pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E240BNTB 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E240BNTB 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E240BNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4156DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4156DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E240GNTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E240GNTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E240GNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€27.4W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AONR21307 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONR21307

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€28W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1995pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@17A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8788TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8788TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF8788TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.35V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8788TRPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8788TRPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF8788TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.35V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E240BNTB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1E240BNTB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1E240BNTB

    工作温度:150℃

    功率:3W€30W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7619DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7619DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7619DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€27.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:21mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0902NS 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0902NS 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0902NS

    功率:2.5W

    阈值电压:2.2V@250μA

    连续漏极电流:24A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@10V,30A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR172ADP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR172ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:29.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8788TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8788TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF8788TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.35V@100µA

    栅极电荷:66nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@24A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7619DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7619DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7619DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€27.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:21mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7619DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7619DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7619DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€27.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:P沟道

    导通电阻:21mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4168DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4168DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1720pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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