品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ152ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ152ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ152ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ152ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D4N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4090pF@40V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ152ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ152ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D4N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4090pF@40V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ152ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ152ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ152ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ152ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFS8403TRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:99W
阈值电压:3.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3183pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":797}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D4N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4090pF@40V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFS8403TRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:99W
阈值电压:3.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3183pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ152ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ152ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ152ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ152ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":797}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D4N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4090pF@40V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ152ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ152ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1633pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D4N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4090pF@40V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ152ELP-T1_GE3
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
连续漏极电流:123A
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
导通电阻:5mΩ@15A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":797}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D4N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":797}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D4N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
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连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D4N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4090pF@40V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":127}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D4N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4090pF@40V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D4N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4090pF@40V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFS8403TRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:99W
阈值电压:3.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:93nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3183pF@25V
连续漏极电流:123A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: