采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8821EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N40TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.6V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：122mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8821EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N40TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.6V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：122mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N40TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.6V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：122mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8821EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N40TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.6V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：122mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3432-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：93pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8821EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3432_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：93pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@1.6A，4，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCH3375-TL-W
功率：800mW
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：295mΩ@10V，800mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8821EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：204675}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3360-TL-H
工作温度：150℃
功率：900mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：303mΩ@800mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6N40TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.6V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@15V
连续漏极电流：1.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：122mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
