品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":11278,"MI+":15120}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU2N50BTU-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:3.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:230pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:5.3Ω@800mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@1µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@960mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1800,"MI+":1800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU4300N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:4.5V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:355pF@100V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS1100D
工作温度:-40℃~150℃
功率:791mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:5.45nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@1.5A,10V
漏源电压:15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP1R6N50D2
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
栅极电荷:23.7nC@5V
包装方式:管件
输入电容:645pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@800mA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP1R6N100D2
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:管件
输入电容:645pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@800mA,0V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP1R6N50D2
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
栅极电荷:23.7nC@5V
包装方式:管件
输入电容:645pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@800mA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@1µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@960mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF4300N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
阈值电压:4.5V@160µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:355pF@100V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP1R6N50D2
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
栅极电荷:23.7nC@5V
包装方式:管件
输入电容:645pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@800mA,0V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@1µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@960mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@1µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@960mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS1100D
工作温度:-40℃~150℃
功率:791mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:5.45nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@1.5A,10V
漏源电压:15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@1µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@960mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU4300N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:4.5V@160µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:355pF@100V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"09+":15,"10+":453,"11+":5887,"12+":225,"MI+":1100}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS1100D
工作温度:-40℃~150℃
功率:791mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.45nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@1.5A,10V
漏源电压:15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@1µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@960mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF4300N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
阈值电压:4.5V@160µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:355pF@100V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@1µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@960mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@1µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@960mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP1R6N100D2
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:管件
输入电容:645pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@800mA,0V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP1R6N100D2
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:管件
输入电容:645pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@800mA,0V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1800,"MI+":1800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU4300N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:4.5V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:355pF@100V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@1µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@960mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":11278,"MI+":15120}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU2N50BTU-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:3.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:230pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:5.3Ω@800mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":11278,"MI+":15120}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU2N50BTU-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:3.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:230pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:5.3Ω@800mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS1100D
工作温度:-40℃~150℃
功率:791mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:5.45nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@1.5A,10V
漏源电压:15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TPS1100D
工作温度:-40℃~150℃
功率:791mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:5.45nC@10V
包装方式:管件
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@1.5A,10V
漏源电压:15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFD9020PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@1µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:280mΩ@960mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP1R6N100D2
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
栅极电荷:27nC@5V
包装方式:管件
输入电容:645pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:10Ω@800mA,0V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存: