品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1800,"MI+":1800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU4300N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:4.5V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:355pF@100V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF4300N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
阈值电压:4.5V@160µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:355pF@100V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU4300N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:4.5V@160µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:355pF@100V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF4300N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
阈值电压:4.5V@160µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:355pF@100V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1800,"MI+":1800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU4300N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:4.5V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:355pF@100V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF4300N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
阈值电压:4.5V@160µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:355pF@100V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8002KNXC7G
功率:28W
阈值电压:4.5V@150μA
栅极电荷:7.5nC@10V
输入电容:140pF@100V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8002KNXC7G
功率:28W
阈值电压:4.5V@150μA
栅极电荷:7.5nC@10V
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类型:1个N沟道
导通电阻:4.2Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF4300N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:19.2W
阈值电压:4.5V@160µA
栅极电荷:8.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:355pF@100V
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类型:N沟道
导通电阻:4.3Ω@800mA,10V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8002KNXC7G
功率:28W
阈值电压:4.5V@150μA
栅极电荷:7.5nC@10V
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连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2Ω@800mA,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8002KNXC7G
功率:28W
阈值电压:4.5V@150μA
栅极电荷:7.5nC@10V
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类型:1个N沟道
导通电阻:4.2Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
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库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8002KNXC7G
功率:28W
阈值电压:4.5V@150μA
栅极电荷:7.5nC@10V
输入电容:140pF@100V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.2Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R8002KND3TL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V
栅极电荷:7.5nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:1.6A
类型:MOSFET
导通电阻:4.2Ω
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R8002KND3TL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V
栅极电荷:7.5nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:1.6A
类型:MOSFET
导通电阻:4.2Ω
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R8002KND3TL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:4.5V
栅极电荷:7.5nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:1.6A
类型:MOSFET
导通电阻:4.2Ω
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: