采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C468NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC060SMA070S
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：2.4V@1mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1175pF@700V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@20A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STWA32N65DM6AG
功率：320W
连续漏极电流：37A
导通电阻：97mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R080P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：129W
阈值电压：4V@590µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@400V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@11.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R080P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：129W
阈值电压：4V@590µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@400V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@11.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：29W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R080P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：129W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@400V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@11.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH104N60F
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：139nC@10V
输入电容：5950pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@18.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C468NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：10.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ240N12NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@60V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@20A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPW60R080P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：129W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@400V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@11.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STWA32N65DM6AG
功率：320W
连续漏极电流：37A
导通电阻：97mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC080SMA120B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@20V
包装方式：管件
输入电容：838pF@1000V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@15A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ48GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：29W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：641pF@15V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZA60R080P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：129W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@400V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@11.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0060065K
工作温度：-40℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.6V@5mA
栅极电荷：46nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1020pF@600V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@13.2A，15V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y25-80E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：17.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2703pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@10A，5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：689}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP104N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4165pF@380V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@18.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR873DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1805pF@75V
连续漏极电流：37A
类型：P沟道
导通电阻：47.5mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y25-80E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：17.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2703pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@10A，5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC011N03LS
功率：2.5W
阈值电压：2.2V@250μA
连续漏极电流：37A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.1mΩ@10V，30A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA72EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1390pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7080pF@15V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：1.28mΩ@37A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M17-30EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@25V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT42S60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2154pF@100V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@21A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：689}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP104N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4165pF@380V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@18.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
