采购热线 400-661-9010
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：6992，"15+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN28UN，135
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.75W
阈值电压：700mV@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@4.5V
输入电容：740pF@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：6992，"15+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN28UN，135
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.75W
阈值电压：700mV@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.1nC@4.5V
输入电容：740pF@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN28UN，135
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.75W
阈值电压：700mV@1mA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
输入电容：740pF@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN28UN，135
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.75W
阈值电压：700mV@1mA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
输入电容：740pF@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@5V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@5V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：12.9nC@10V
输入电容：608pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：24mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@5V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：12.9nC@10V
输入电容：608pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：24mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@5V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
导通电阻：25mΩ@10V，9.3A
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：5.7A
类型：1个N沟道
功率：1.9W
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
