采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210LPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP264PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@23A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP264PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@23A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF5210STRL
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP45NF06
工作温度：175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：980pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：69W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@5.3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF10FP
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC38N10YA-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1209pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC38N10YA-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1209pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC38N10YA-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1209pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP45NF06
工作温度：175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：980pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB099PW C1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：329W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2587pF@100V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@11.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP80NF10FP
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：189nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC38N10YA-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1209pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP264PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@23A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP264PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@23A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP264PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：280W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：210nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@23A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5210STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：230nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@38A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC38N10YA-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1209pF@50V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
