品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@900μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.194nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@900μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.194nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP264PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:280W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@23A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@900μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.194nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP264PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:280W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:210nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@23A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@900μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.194nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:2.765nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@900μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.194nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@900μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.194nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@900μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.194nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":2954}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:2.765nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@900μA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.194nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":2954}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:2.765nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":2954}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:2.765nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:2.765nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@900μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.194nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@900μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.194nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT1514G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:1.535nF@50V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
反向传输电容:8.2pF@50V
导通电阻:11.6mΩ@10V,20A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R055CFD7ATMA1
阈值电压:4.5V@900μA
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:178W
栅极电荷:79nC@10V
输入电容:3.194nF@400V
漏源电压:650V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:38A
ECCN:EAR99
导通电阻:55mΩ@18A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R055CFD7ATMA1
阈值电压:4.5V@900μA
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:178W
栅极电荷:79nC@10V
输入电容:3.194nF@400V
漏源电压:650V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:38A
ECCN:EAR99
导通电阻:55mΩ@18A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT1514G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:1.535nF@50V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
反向传输电容:8.2pF@50V
导通电阻:11.6mΩ@10V,20A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT1514G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:1.535nF@50V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
反向传输电容:8.2pF@50V
导通电阻:11.6mΩ@10V,20A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":2954}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:2.765nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT1514G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:32W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:26nC@10V
输入电容:1.535nF@50V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
反向传输电容:8.2pF@50V
导通电阻:11.6mΩ@10V,20A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@900μA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.194nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:2.765nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:2.765nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP38N30X3M
工作温度:-55℃~+150℃
功率:34W
阈值电压:2.5V
栅极电荷:35nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:38A
类型:MOSFET
导通电阻:50mΩ
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5022,"23+":2600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:2.765nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):GS61004B-MR
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1.1V
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.3nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:38A
类型:MOSFET
导通电阻:22mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: