品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
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输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:50V
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
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类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT7828_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
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连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06KQ-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
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输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
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漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT7828_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
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类型:N沟道
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库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT7828_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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类型:2N沟道(双)
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
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连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT7828_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06KQ-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT7828_R1_00001
功率:350mW
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
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类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
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连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJT7828_R1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@300mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
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连续漏极电流:300mA
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库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
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输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
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连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06K-7
导通电阻:2Ω@50mA,5V
功率:350mW
连续漏极电流:300mA
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:1V@250µA
漏源电压:50V
类型:N沟道
工作温度:-65℃~150℃
输入电容:50pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
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