品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:2.4V@250μA
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1Ω@10V,300mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: