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    漏源电压
    连续漏极电流: 300mA
    功率: 150mW
    类型: 1个N沟道
    当前匹配商品:9
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    ROHM Mosfet场效应管 RUM003N02T2L 起订数500个
    ROHM Mosfet场效应管 RUM003N02T2L 起订数500个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    输入电容:25pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1Ω@300mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUM003N02T2L 起订数10个
    ROHM Mosfet场效应管 RUM003N02T2L 起订数10个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    输入电容:25pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1Ω@300mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUM003N02T2L 起订数100个
    ROHM Mosfet场效应管 RUM003N02T2L 起订数100个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    输入电容:25pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1Ω@300mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUM003N02T2L 起订数1000个
    ROHM Mosfet场效应管 RUM003N02T2L 起订数1000个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    输入电容:25pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1Ω@300mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUE003N02TL 起订数21000个
    ROHM Mosfet场效应管 RUE003N02TL 起订数21000个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    输入电容:25pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1Ω@300mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF2201NT1G 起订数30000个
    onsemi Mosfet场效应管 MMBF2201NT1G 起订数30000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.4V@250μA

    输入电容:45pF@5V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1Ω@10V,300mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RUE003N02TL 起订数30000个
    ROHM Mosfet场效应管 RUE003N02TL 起订数30000个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    输入电容:25pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1Ω@300mA,4V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601TK-7 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601TK-7 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601TK-7 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN601TK-7 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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