包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT30N120
工作温度:-55℃~200℃
功率:270W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:105nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":18594}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3821-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€65W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:散装
输入电容:4200pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT30N120
工作温度:-55℃~200℃
功率:270W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:105nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":18594}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3821-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€65W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:散装
输入电容:4200pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":18594}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3821-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€65W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:散装
输入电容:4200pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":18594}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3821-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€65W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:散装
输入电容:4200pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT30N120
工作温度:-55℃~200℃
功率:270W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:105nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT30N120
工作温度:-55℃~200℃
功率:270W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:105nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT30N120
工作温度:-55℃~200℃
功率:270W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:105nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
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生产批次:{"09+":18594}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3821-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€65W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:散装
输入电容:4200pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT30N120
工作温度:-55℃~200℃
功率:270W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:105nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
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行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT30N120
工作温度:-55℃~200℃
阈值电压:2.6V@1mA
类型:N沟道
漏源电压:1200V
包装方式:管件
功率:270W
输入电容:1700pF@400V
导通电阻:100mΩ@20A,20V
连续漏极电流:40A
栅极电荷:105nC@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
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规格型号(MPN):SCT30N120
工作温度:-55℃~200℃
功率:270W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:105nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
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包装规格(MPQ):30psc
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规格型号(MPN):SCT30N120
工作温度:-55℃~200℃
功率:270W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:105nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@20A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
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