品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.8V@27µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1525pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.8V@27µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1525pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.8V@27µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1525pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.8V@27µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1525pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.8V@27µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1525pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1200APL,L1Q
功率:104W€630mW
阈值电压:2.5V@300μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.855nF@50V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.8V@27µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1525pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.8V@27µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1525pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1200APL,L1Q
功率:104W€630mW
阈值电压:2.5V@300μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.855nF@50V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1200APL,L1Q
功率:104W€630mW
阈值电压:2.5V@300μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.855nF@50V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1200APL,L1Q
功率:104W€630mW
阈值电压:2.5V@300μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.855nF@50V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1200APL,L1Q
功率:104W€630mW
阈值电压:2.5V@300μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.855nF@50V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.8V@27µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1525pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1200APL,L1Q
功率:104W€630mW
阈值电压:2.5V@300μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.855nF@50V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M9R5-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1537pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.8V@27µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1525pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.8V@27µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1525pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M9R5-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1537pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.8V@27µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1525pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.8V@27µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1525pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.8V@27µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1525pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M9R5-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1537pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1200APL,L1Q
功率:104W€630mW
阈值电压:2.5V@300μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.855nF@50V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1200APL,L1Q
功率:104W€630mW
阈值电压:2.5V@300μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.855nF@50V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.8V@27µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1525pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1200APL,L1Q
功率:104W€630mW
阈值电压:2.5V@300μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.855nF@50V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN1200APL,L1Q
功率:104W€630mW
阈值电压:2.5V@300μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.855nF@50V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M9R5-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1537pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.8V@27µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1525pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.8V@27µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1525pF@50V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: