采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0901NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@12V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3565}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0901NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@12V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G400GNTL
工作温度：150℃
功率：26W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0901NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@12V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0901NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@12V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G400GNTL
工作温度：150℃
功率：26W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ060NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：2V
栅极电荷：9.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：6.5mΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G400GNTL
工作温度：150℃
功率：26W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G400GNTL
工作温度：150℃
功率：26W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G400GNTL
工作温度：150℃
功率：26W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0901NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@12V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G400GNTL
工作温度：150℃
功率：26W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G400GNTL
工作温度：150℃
功率：26W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G400GNTL
工作温度：150℃
功率：26W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0901NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@12V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ060NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：2V
栅极电荷：9.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：6.5mΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G400GNTL
工作温度：150℃
功率：26W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G400GNTL
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：40V
功率：26W
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@40A，10V
栅极电荷：19nC@10V
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：1410pF@20V
连续漏极电流：40A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G400GNTL
工作温度：150℃
功率：26W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1410pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3565}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0901NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@12V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ0901NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：670pF@12V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ060NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：2V
栅极电荷：9.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：6.5mΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ060NE2LSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：2V
栅极电荷：9.1nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
导通电阻：6.5mΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：5000psc
规格型号(MPN)：BSZ060NE2LSATMA1
包装方式：Reel
导通电阻：6.5mΩ
功率：26W
漏源电压：25V
阈值电压：2V
栅极电荷：9.1nC
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：40A
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
