采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：439，"19+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3816-DL-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0656DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：65W
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0656DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：65W
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF40N25
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：3.7nF@25V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.5pF@25V
导通电阻：65mΩ@10V，20A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF40N25
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：3.7nF@25V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.5pF@25V
导通电阻：65mΩ@10V，20A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0656DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：65W
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：439，"19+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3816-DL-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：439，"19+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3816-DL-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：439，"19+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3816-DL-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0656DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：65W
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF40N25
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：3.7nF@25V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.5pF@25V
导通电阻：65mΩ@10V，20A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD40N25
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：3.7nF@25V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.5pF@25V
导通电阻：65mΩ@10V，20A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"17+"：439，"19+"：1600}
规格型号(MPN)：2SK3816-DL-1E
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
栅极电荷：40nC@10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
功率：1.65W€50W
导通电阻：26mΩ@20A，10V
输入电容：1780pF@20V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：40A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF40N25
输入电容：3.7nF@25V
类型：1个N沟道
栅极电荷：40nC@10V
反向传输电容：2.5pF@25V
漏源电压：250V
阈值电压：4V@250μA
功率：310W
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：65mΩ@10V，20A
连续漏极电流：40A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0656DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：65W
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：439，"19+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3816-DL-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF40N25
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：3.7nF@25V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.5pF@25V
导通电阻：65mΩ@10V，20A
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD40N25
输入电容：3.7nF@25V
类型：1个N沟道
栅极电荷：40nC@10V
反向传输电容：2.5pF@25V
漏源电压：250V
阈值电压：4V@250μA
功率：310W
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：65mΩ@10V，20A
连续漏极电流：40A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
