采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM7788
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：3.415nF@15V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：232pF@15V
导通电阻：4.5mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM7788
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：3.415nF@15V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：232pF@15V
导通电阻：4.5mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM7788
工作温度：-55℃~+150℃
功率：36W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：3.415nF@15V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
反向传输电容：232pF@15V
导通电阻：4.5mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM7788
输入电容：3.415nF@15V
漏源电压：30V
阈值电压：1.6V@250μA
类型：1个N沟道
功率：36W
反向传输电容：232pF@15V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：4.5mΩ@10V，20A
连续漏极电流：40A
栅极电荷：24nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
输入电容：1.855nF@50V
ECCN：EAR99
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
连续漏极电流：40A
栅极电荷：24nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
输入电容：1.855nF@50V
ECCN：EAR99
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
连续漏极电流：40A
栅极电荷：24nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
