采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR466DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W€54W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.73nF@15V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10V，15A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR466DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W€54W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.73nF@15V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10V，15A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR466DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W€54W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.73nF@15V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10V，15A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR466DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W€54W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.73nF@15V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10V，15A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ146N10LS5ATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.3V@23μA
栅极电荷：3.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.3nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
