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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.8V@27µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.8V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.8V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.8V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.8V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.8V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.8V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
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栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.8V@27µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.8V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.8V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.8V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.8V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.8V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.8V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.8V@27µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.8V@27µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.8V@27µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：11701，"21+"：1269，"23+"：51852，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.8V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：11701，"21+"：1269，"23+"：51852，"MI+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ40N10S5N130ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.8V@27µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1525pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1200APL，L1Q
功率：104W€630mW
阈值电压：2.5V@300μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.855nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
