采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40N10-25-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40N10-30_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3345pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40N10-25-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40N10-25-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40N10-25-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40P10-40L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5295pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40N10-25-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40N10-25-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@40A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40N10-25_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40N10-25-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@250µA
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输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@40A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40N10-30_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3345pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40N10-25-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40N10-25-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
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输入电容：2400pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40N10-25_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40P10-40L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5295pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40N10-25-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40N10-25_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40N10-25-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40N10-25_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3380pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM40P10-40L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：134nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5295pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40N10-25-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD40N10-25-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR876ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€62.5W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1630pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
