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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40N06-14L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2105pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40N06-14L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2105pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：75W
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ECCN：EAR99
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输入电容：2105pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：2105pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQD40N06-14L_GE3
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功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2105pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQD40N06-14L_GE3
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功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2105pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQD40N06-14L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2105pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS862DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS862DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS862DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
输入电容：1320pF@30V
栅极电荷：32nC@10V
功率：3.7W€52W
ECCN：EAR99
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
连续漏极电流：40A
阈值电压：2.6V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40N06-14L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2105pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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阈值电压：2.5V@250µA
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漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：14mΩ@20A，10V
输入电容：2105pF@25V
栅极电荷：51nC@10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：40A
功率：75W
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规格型号(MPN)：SQD40N06-14L_GE3
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功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
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栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2105pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQD40N06-14L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2105pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQD40N06-14L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2105pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2105pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@20A，10V
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规格型号(MPN)：SQD40N06-14L_GE3
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功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：51nC@10V
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输入电容：2105pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQD40N06-14L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2105pF@25V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIS862DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1320pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD40N06-14L_GE3
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：14mΩ@20A，10V
输入电容：2105pF@25V
栅极电荷：51nC@10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：40A
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