品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:88.2W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:30W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:10.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK40S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:88.2W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):TK40A06N1,S4X
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功率:30W
阈值电压:4V@300µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
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漏源电压:60V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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工作温度:175℃
功率:88.2W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
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ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
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连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
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类型:N沟道
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功率:88.2W
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连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
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漏源电压:60V
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@300µA
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导通电阻:10.4mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:40A
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阈值电压:2.5V@200µA
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类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:175℃
栅极电荷:26nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:18mΩ@20A,10V
连续漏极电流:40A
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