采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：354，"22+"：14000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A18PZTCG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2240pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A18PZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2240pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC1030UFDBQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.36W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@6V
连续漏极电流：5.1A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：34mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341GTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341GTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：30000，"22+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A18PZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2240pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC1030UFDBQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.36W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@6V
连续漏极电流：5.1A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：34mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A18PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2240pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC1030UFDBQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.36W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@6V
连续漏极电流：5.1A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：34mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341GTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC1030UFDBQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.36W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@6V
连续漏极电流：5.1A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：34mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC1030UFDBQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.36W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@6V
连续漏极电流：5.1A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：34mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341GTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC1030UFDBQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.36W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@6V
连续漏极电流：5.1A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：34mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A18PZTCG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2240pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A18PZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2240pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A18PZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2240pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A18PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2240pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC1030UFDBQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.36W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@6V
连续漏极电流：5.1A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：34mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A18PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2240pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341GTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341GTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341GTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC1030UFDBQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.36W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@6V
连续漏极电流：5.1A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：34mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1320}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A18PZCTCG
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2240pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：30000，"22+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A18PZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2240pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A18PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2240pF@15V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC1030UFDBQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.36W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@6V
连续漏极电流：5.1A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：34mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMC1030UFDBQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.36W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1003pF@6V
连续漏极电流：5.1A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：34mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7341GTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：50mΩ@5.1A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
