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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ375P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.7W（Ta）
阈值电压：1.2V @ 250µA
栅极电荷：15 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：78 毫欧 @ 2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ375P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.7W（Ta）
阈值电压：1.2V @ 250µA
栅极电荷：15 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：78 毫欧 @ 2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：750mW（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：19 nC @ 4.5 V
输入电容：1020 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：39 毫欧 @ 4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：750mW（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：19 nC @ 4.5 V
输入电容：1020 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：39 毫欧 @ 4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：750mW（Ta）
阈值电压：1V @ 250µA
栅极电荷：19 nC @ 4.5 V
输入电容：1020 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：39 毫欧 @ 4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ375P
类型：P 通道
功率：1.7W（Ta）
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
栅极电荷：15 nC @ 4.5 V
输入电容：865 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.7A（Ta）
导通电阻：78 毫欧 @ 2A，4.5V
漏源电压：20V
阈值电压：1.2V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF5P03T3G
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.56W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950 pF @ 25 V
连续漏极电流：3.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：100 毫欧 @ 5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF5P03T3G
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.56W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950 pF @ 25 V
连续漏极电流：3.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：100 毫欧 @ 5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ375P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.7W（Ta）
阈值电压：1.2V @ 250µA
栅极电荷：15 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：78 毫欧 @ 2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF5P03T3G
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.56W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950 pF @ 25 V
连续漏极电流：3.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：100 毫欧 @ 5.2A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ375P
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.7W（Ta）
阈值电压：1.2V @ 250µA
栅极电荷：15 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865 pF @ 10 V
连续漏极电流：3.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：78 毫欧 @ 2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF5P03T3G
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.56W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950 pF @ 25 V
连续漏极电流：3.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：100 毫欧 @ 5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF5P03T3G
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.56W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950 pF @ 25 V
连续漏极电流：3.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：100 毫欧 @ 5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF5P03T3G
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：1.56W（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950 pF @ 25 V
连续漏极电流：3.7A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：100 毫欧 @ 5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF5P03T3G
类型：P 通道
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：100 毫欧 @ 5.2A，10V
功率：1.56W（Ta）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
输入电容：950 pF @ 25 V
连续漏极电流：3.7A（Ta）
ECCN：EAR99
栅极电荷：38 nC @ 10 V
阈值电压：3V @ 250µA
包装清单：商品主体 * 1
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