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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3099-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：61pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：408mΩ@500nA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3099-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：61pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：408mΩ@500nA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3099-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：61pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：408mΩ@500nA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3099-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：61pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：408mΩ@500nA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3099-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：61pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：408mΩ@500nA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3099-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：61pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：408mΩ@500nA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：260243}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV185XN，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：325mW€1.275W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：76pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.1A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3099-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：61pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：408mΩ@500nA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3099-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：61pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：408mΩ@500nA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3099-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：61pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：408mΩ@500nA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3099-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：61pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：408mΩ@500nA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3099-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：61pF@15V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：408mΩ@500nA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1902CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：235mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
