采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD9010PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@580mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD9010PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@580mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD9010PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@580mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD9010PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@580mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD9010PBF
连续漏极电流：1.1A
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
输入电容：240pF@25V
导通电阻：500mΩ@580mA，10V
类型：P沟道
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
功率：1W
栅极电荷：11nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD9010PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@580mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD9010PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@580mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD9010PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@580mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD9010PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@580mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD9010PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@580mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
