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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5908DC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5908DC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5908DC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5908DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2377EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：21nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2377EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：21nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5908DC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5908DC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5908DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2377EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：21nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2377EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：21nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5908DC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2377EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：21nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2377EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：21nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2377EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：21nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5908DC-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2377EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2377EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2377EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP3A17DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@3.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5908DC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3C18PZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@6V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5908DC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3C18PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@6V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2377EDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：21nC@8V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@3.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：119058}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3C18PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1570pF@6V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
