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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA600CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：54.6mΩ@3A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：630A
功率：83W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@10V，4.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009END3TL1
功率：94W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：630A
功率：83W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@10V，4.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：9N40-220
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：607mΩ@10V，4.5A
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G130N06S
阈值电压：2.5V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N03D2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：873pF@30V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA444CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：39mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009ENXC7G
功率：48W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RXH090N03TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：630A-252
功率：83W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@10V，4.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA444CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：39mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009ENXC7G
功率：48W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R360P7S
功率：7W
阈值电压：4V@140μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，2.7A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R360P7S
功率：7W
阈值电压：4V@140μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，2.7A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA444CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：39mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：K3878
功率：350W
阈值电压：3.95V@250μA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.53nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：23pF@25V
导通电阻：970mΩ@10V，4.5A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8009KNXC7G
功率：59W
阈值电压：4.5V@5mA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RXH090N03TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RXH090N03TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：219psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA1728G-E1-AT
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1.7nF@10V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA444CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：39mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4529J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：26nC@Vgs=10V
输入电容：1.06nF@Vds=20V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：111pF@Vds=20V
导通电阻：24mΩ@10V，8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R360P7S
功率：7W
阈值电压：4V@140μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，2.7A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN60R360P7S
功率：7W
阈值电压：4V@140μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：360mΩ@10V，2.7A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8009KNXC7G
功率：59W
阈值电压：4.5V@5mA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：600mΩ@4.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQA444CEJW-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：13.6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：39mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
