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    连续漏极电流
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    连续漏极电流: 9A
    栅极电荷: 24nC@10V
    当前匹配商品:50+
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    ROHM Mosfet场效应管 R6509ENJTL 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6509ENJTL 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6509ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:94W

    阈值电压:4V@230µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:585mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF10N50FT 起订417个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF10N50FT 起订417个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":995,"22+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF10N50FT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1170pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6509END3TL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6509END3TL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6509END3TL1

    工作温度:150℃

    功率:94W

    阈值电压:4V@230µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:585mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6509END3TL1 起订数10个
    ROHM Mosfet场效应管 R6509END3TL1 起订数10个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:94W

    阈值电压:4V@230μA

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:585mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6509ENJTL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6509ENJTL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6509ENJTL

    工作温度:150℃

    功率:94W

    阈值电压:4V@230µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:585mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD9N50 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD9N50 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD9N50

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:178W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:860mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD9N50 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD9N50 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD9N50

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:178W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:860mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6509END3TL1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6509END3TL1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6509END3TL1

    工作温度:150℃

    功率:94W

    阈值电压:4V@230µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:585mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6509ENXC7G 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6509ENXC7G 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6509ENXC7G

    工作温度:150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@230µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:585mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK9A60D(STA4,Q,M) 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK9A60D(STA4,Q,M) 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK9A60D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:830mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6509END3TL1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6509END3TL1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6509END3TL1

    工作温度:150℃

    功率:94W

    阈值电压:4V@230µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:585mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD9N50 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD9N50 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD9N50

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:178W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:860mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6509END3TL1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6509END3TL1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6509END3TL1

    工作温度:150℃

    功率:94W

    阈值电压:4V@230µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:585mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK9A60D(STA4,Q,M) 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK9A60D(STA4,Q,M) 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK9A60D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:830mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK9A60D(STA4,Q,M) 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK9A60D(STA4,Q,M) 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK9A60D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:830mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6509ENXC7G 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6509ENXC7G 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6509ENXC7G

    工作温度:150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@230µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:585mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6509END3TL1 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6509END3TL1 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6509END3TL1

    工作温度:150℃

    功率:94W

    阈值电压:4V@230µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:585mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF10N50FT 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF10N50FT 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF10N50FT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1170pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R180C7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R180C7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R180C7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:29W

    阈值电压:4V@260µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1080pF@400V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD9N50 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD9N50 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD9N50

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:178W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:860mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD9N50 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD9N50 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD9N50

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:178W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:860mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6509END3TL1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6509END3TL1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6509END3TL1

    工作温度:150℃

    功率:94W

    阈值电压:4V@230µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:585mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF10N50FT 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF10N50FT 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":995,"22+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF10N50FT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1170pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD9N50 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD9N50 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD9N50

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:178W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:860mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD9N50 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD9N50 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD9N50

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:178W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:860mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF10N50FT 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF10N50FT 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":995,"22+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF10N50FT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1170pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6509END3TL1 起订数1000个
    ROHM Mosfet场效应管 R6509END3TL1 起订数1000个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:94W

    阈值电压:4V@230μA

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:585mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK9A60D(STA4,Q,M) 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK9A60D(STA4,Q,M) 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK9A60D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:830mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD9N50 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD9N50 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD9N50

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:178W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1160pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:860mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6509END3TL1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6509END3TL1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6509END3TL1

    工作温度:150℃

    功率:94W

    阈值电压:4V@230µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:585mΩ@2.8A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

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