采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509ENJTL
工作温度：150℃
功率：94W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF11N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509KND3TL1
工作温度：150℃
功率：94W
阈值电压：5V@230µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509END3TL1
工作温度：150℃
功率：94W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF11N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509ENJTL
工作温度：150℃
功率：94W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509END3TL1
工作温度：150℃
功率：94W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509ENXC7G
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509KND3TL1
工作温度：150℃
功率：94W
阈值电压：5V@230µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509END3TL1
工作温度：150℃
功率：94W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509END3TL1
工作温度：150℃
功率：94W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509ENXC7G
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF11N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509KND3TL1
工作温度：150℃
功率：94W
阈值电压：5V@230µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509KND3TL1
工作温度：150℃
功率：94W
阈值电压：5V@230µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509KND3TL1
工作温度：150℃
功率：94W
阈值电压：5V@230µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509END3TL1
工作温度：150℃
功率：94W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF11N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509KNXC7G
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：5V@230µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509KNXC7G
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：5V@230µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB11N65M5
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：644pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：480mΩ@4.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509KNXC7G
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：5V@230µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
