采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7806ADN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K504NU，LF
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB11EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB11EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA7672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH090P03GZETB
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：15.4mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB11EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB14R0EPX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：227pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8KA4TCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7804
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G170P03S2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：1.786nF@4.5V
连续漏极电流：9A
类型：2个P沟道
导通电阻：25mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G220P03S2
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A
类型：2个P沟道
导通电阻：17mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPC8129，LQ(S
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@200µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8310-TL-H
工作温度：150℃
功率：1.5W
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G7P03S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.7W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：24.5nC@10V
输入电容：1.253nF@15V
连续漏极电流：9A
类型：1个P沟道
反向传输电容：158pF@15V
导通电阻：16mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4805
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N03D2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：873pF@30V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4800LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.46W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：9.47nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL9P3LLH6
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2615pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4C09NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：760mW€25.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：10.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1252pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB11EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W€12.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4431CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1006pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS406DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：4645}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRH090P03TB1
工作温度：150℃
功率：650mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：15.4mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7804
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：888pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8882
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：940pF@15V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
