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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N03D2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：873pF@30V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4529J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：26nC@Vgs=10V
输入电容：1.06nF@Vds=20V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：111pF@Vds=20V
导通电阻：24mΩ@10V，8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N03D2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：873pF@30V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4529J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：26nC@Vgs=10V
输入电容：1.06nF@Vds=20V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：111pF@Vds=20V
导通电阻：24mΩ@10V，8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4529J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：26nC@Vgs=10V
输入电容：1.06nF@Vds=20V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：111pF@Vds=20V
导通电阻：24mΩ@10V，8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4529J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：26nC@Vgs=10V
输入电容：1.06nF@Vds=20V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：111pF@Vds=20V
导通电阻：24mΩ@10V，8A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：280mΩ@10V，4.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：280mΩ@10V，4.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ130N03MS G
功率：2.1W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.5mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：170mΩ@5V，4.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.08nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：280mΩ@10V，4.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G20N03D2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：873pF@30V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：12.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
