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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA459EDJ-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：2.9W€15.6W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：885pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD9N50
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：860mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA459EDJ-T1-GE3
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栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：885pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
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输入电容：885pF@10V
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类型：P沟道
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ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：860mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：30nC@10V
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输入电容：885pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
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输入电容：885pF@10V
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类型：P沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：30nC@10V
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输入电容：885pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
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输入电容：885pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：AOD9N50
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：860mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA459EDJ-T1-GE3
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阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：885pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SIA459EDJ-T1-GE3
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连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AOD9N50
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功率：178W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
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输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：860mΩ@4.5A，10V
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类型：N沟道
导通电阻：860mΩ@4.5A，10V
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规格型号(MPN)：SIA459EDJ-T1-GE3
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功率：2.9W€15.6W
阈值电压：1.2V@250µA
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输入电容：885pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V
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连续漏极电流：9A
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阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
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输入电容：885pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD9N50
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
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输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：860mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
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规格型号(MPN)：AOD9N50
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：860mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD9N50
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
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输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：860mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA459EDJ-T1-GE3
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功率：2.9W€15.6W
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栅极电荷：30nC@10V
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输入电容：885pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA459EDJ-T1-GE3
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功率：2.9W€15.6W
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输入电容：885pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIA459EDJ-T1-GE3
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功率：2.9W€15.6W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：885pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA459EDJ-T1-GE3
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-50℃~150℃
功率：2.9W€15.6W
类型：P沟道
输入电容：885pF@10V
连续漏极电流：9A
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栅极电荷：30nC@10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA459EDJ-T1-GE3
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-50℃~150℃
功率：2.9W€15.6W
类型：P沟道
输入电容：885pF@10V
连续漏极电流：9A
漏源电压：20V
栅极电荷：30nC@10V
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V
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规格型号(MPN)：AOD9N50
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：860mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA459EDJ-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：2.9W€15.6W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：885pF@10V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD9N50
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：860mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD9N50
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：860mΩ@4.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD9N50
工作温度：-50℃~150℃
功率：178W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：860mΩ@4.5A，10V
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