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    onsemi Mosfet场效应管 FCB070N65S3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB070N65S3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB070N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:4.5V@4.4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3090pF@400V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@22A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M14-40EX 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M14-40EX 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M14-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1211pF@25V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB070N65S3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB070N65S3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB070N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:4.5V@4.4mA

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3090pF@400V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@22A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB072N65S3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB072N65S3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB072N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@400V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@24A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB070N65S3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB070N65S3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB070N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:4.5V@4.4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3090pF@400V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@22A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19534Q5AT 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19534Q5AT 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19534Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€63W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@50V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC146N10LS5ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC146N10LS5ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC146N10LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€52W

    阈值电压:2.3V@23µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@50V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.6mΩ@22A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC146N10LS5ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC146N10LS5ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC146N10LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€52W

    阈值电压:2.3V@23µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@50V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.6mΩ@22A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M14-40EX 起订8个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M14-40EX 起订8个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M14-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:11.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1211pF@25V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M14-40EX 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M14-40EX 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M14-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1211pF@25V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC146N10LS5ATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC146N10LS5ATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC146N10LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€52W

    阈值电压:2.3V@23µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@50V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.6mΩ@22A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR1205TRPBF 起订700个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR1205TRPBF 起订700个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":58000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR1205TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@26A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH4210DTRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH4210DTRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH4210DTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€125W

    阈值电压:2.1V@100µA

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4812pF@13V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB072N65S3 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB072N65S3 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB072N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@400V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@24A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN017-60YS,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN017-60YS,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN017-60YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@30V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR1205TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR1205TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR1205TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@26A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19534Q5AT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19534Q5AT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19534Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€63W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@50V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19534Q5AT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19534Q5AT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19534Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€63W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@50V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB070N65S3 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB070N65S3 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB070N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:4.5V@4.4mA

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3090pF@400V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@22A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR1205TRPBF 起订6000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR1205TRPBF 起订6000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR1205TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@26A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR1205TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR1205TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR1205TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@26A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN017-60YS,115 起订1340个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN017-60YS,115 起订1340个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":17480}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN017-60YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@30V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R050G7XTMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R050G7XTMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R050G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@800µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670pF@400V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@15.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19534Q5AT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19534Q5AT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19534Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€63W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@50V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC146N10LS5ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC146N10LS5ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC146N10LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€52W

    阈值电压:2.3V@23µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@50V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.6mΩ@22A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG 起订1000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM230N06PQ56 RLG 起订1000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM230N06PQ56 RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@20V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M14-40EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M14-40EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M14-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1211pF@25V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19534Q5A 起订50个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19534Q5A 起订50个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19534Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€63W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@50V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT8012LK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT8012LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19534Q5A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19534Q5A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19534Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€63W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@50V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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