品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301F
阈值电压:1V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:95mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM2015-3/TR
功率:800mW
阈值电压:810mV@250μA
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@4.5V,2.7A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301F
阈值电压:1V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:95mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:375pF@6V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
类型:1个P沟道
功率:700mW
阈值电压:950mV@250μA
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM2015-3/TR
功率:800mW
阈值电压:810mV@250μA
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@4.5V,2.7A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301F
阈值电压:1V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:95mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301F
阈值电压:1V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:95mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301F
阈值电压:1V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:95mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301F
阈值电压:1V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:95mΩ@4.5V,2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:950mV@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:375pF@6V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM2015-3/TR
功率:800mW
阈值电压:810mV@250μA
连续漏极电流:2.2A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@4.5V,2.7A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:375pF@6V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
栅极电荷:10nC@4.5V
类型:1个P沟道
功率:700mW
阈值电压:950mV@250μA
导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3443T1G
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@5V
功率:500mW
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:2.2A
漏源电压:20V
栅极电荷:15nC@4.5V
类型:1个P沟道
导通电阻:65mΩ@4.5V,4.4A
包装清单:商品主体 * 1
库存: