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    漏源电压
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    行业应用
    栅极电荷
    连续漏极电流: 2.2A
    漏源电压: 20V
    类型: 1个P沟道
    当前匹配商品:20+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    born Mosfet场效应管 SI2301F 起订249个装
    born Mosfet场效应管 SI2301F 起订249个装

    品牌:born

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301F

    阈值电压:1V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:95mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM2015-3/TR 起订3000个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM2015-3/TR 起订3000个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WPM2015-3/TR

    功率:800mW

    阈值电压:810mV@250μA

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@4.5V,2.7A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    born Mosfet场效应管 SI2301F 起订186个装
    born Mosfet场效应管 SI2301F 起订186个装

    品牌:born

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301F

    阈值电压:1V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:95mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    输入电容:375pF@6V

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:2.2A

    漏源电压:20V

    栅极电荷:10nC@4.5V

    类型:1个P沟道

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250μA

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM2015-3/TR 起订56个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM2015-3/TR 起订56个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WPM2015-3/TR

    功率:800mW

    阈值电压:810mV@250μA

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@4.5V,2.7A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    born Mosfet场效应管 SI2301F 起订221个装
    born Mosfet场效应管 SI2301F 起订221个装

    品牌:born

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301F

    阈值电压:1V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:95mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    born Mosfet场效应管 SI2301F 起订1020个装
    born Mosfet场效应管 SI2301F 起订1020个装

    品牌:born

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301F

    阈值电压:1V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:95mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    born Mosfet场效应管 SI2301F 起订145个装
    born Mosfet场效应管 SI2301F 起订145个装

    品牌:born

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301F

    阈值电压:1V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:95mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    born Mosfet场效应管 SI2301F 起订480个装
    born Mosfet场效应管 SI2301F 起订480个装

    品牌:born

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2301F

    阈值电压:1V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:95mΩ@4.5V,2A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订数300个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订数300个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订数75个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订数75个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订数1500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订数1500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订数15个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订数15个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:375pF@6V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM2015-3/TR 起订81个装
    WILLSEMI Mosfet场效应管 WPM2015-3/TR 起订81个装

    品牌:WILLSEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):WPM2015-3/TR

    功率:800mW

    阈值电压:810mV@250μA

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@4.5V,2.7A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订数75个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301BDS-T1-E3 起订数75个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    输入电容:375pF@6V

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:2.2A

    漏源电压:20V

    栅极电荷:10nC@4.5V

    类型:1个P沟道

    功率:700mW

    阈值电压:950mV@250μA

    导通电阻:100mΩ@2.8A,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3443T1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3443T1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3443T1G

    阈值电压:1.5V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:565pF@5V

    功率:500mW

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:2.2A

    漏源电压:20V

    栅极电荷:15nC@4.5V

    类型:1个P沟道

    导通电阻:65mΩ@4.5V,4.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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