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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@1.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV100EPAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：616pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2，2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENER
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@1A，4.5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV100EPAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：616pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2，2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV100EPAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：616pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2，2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@1A，4.5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV100EPAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：616pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2，2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@1A，4.5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENER
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENER
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENER
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@1A，4.5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENER
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV100EPAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：616pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2，2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENER
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@40V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@1.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@1A，4.5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENER
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@1A，4.5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@1A，4.5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV88ENEAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：615mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：196pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：117mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2337ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：290mΩ@1A，4.5V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：75000，"23+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV100EPAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：616pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2，2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV100EPAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：616pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2，2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV100EPAR
工作温度：-55℃~175℃
功率：710mW€8.3W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：616pF@30V
连续漏极电流：2.2A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@2，2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
