采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：225mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：225mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3449_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：299pF@20V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@2.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3449_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：299pF@20V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@2.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：225mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：225mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3449_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：299pF@20V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@2.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：225mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：225mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：375pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440ADV-T1-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.65nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：2.2A
类型：MOSFET
导通电阻：380mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440ADV-T1-BE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.65nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：2.2A
类型：MOSFET
导通电阻：380mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：225mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3449_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：299pF@20V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@2.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：225mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：225mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP2N90
工作温度：-55℃~+150℃
功率：85W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2Ω@10V，1.1A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：225mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：225mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3449_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：299pF@20V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@2.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：375pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：225mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3449_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：299pF@20V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@2.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3449_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：299pF@20V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@2.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：950mV@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：375pF@6V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H220LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：384pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：225mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
