品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H090LFDF4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:251pF@50V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.5A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2046U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:292pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86248
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€36W
阈值电压:4V@250mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@75V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7810DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:62mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H090LFDF4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:251pF@50V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.5A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7810DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:62mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H090LFDF4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:251pF@50V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.5A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2A14FTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250µA
栅极电荷:6.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:544pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT12H090LFDF4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:251pF@50V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.5A,10V
漏源电压:115V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2046U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:292pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F34FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:277pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86248
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€36W
阈值电压:4V@250mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@75V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7810DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:62mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2046U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:292pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7810DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:62mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86248
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€36W
阈值电压:4V@250mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@75V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86248
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€36W
阈值电压:4V@250mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@75V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN2F34FHTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:2.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:277pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@2.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2046U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:292pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7810DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:62mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7810DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:62mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86248
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€36W
阈值电压:4V@250mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@75V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86248
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€36W
阈值电压:4V@250mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@75V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2046U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:292pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7810DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:62mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2046U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:292pF@10V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD4N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:114W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:10.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@25V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86248
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€36W
阈值电压:4V@250mA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:525pF@75V
连续漏极电流:3.4A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: