采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3453DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：165mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5803TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@3.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2078LCA3-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：228pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2078LCA3-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：228pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：895，"22+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF5P20
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：1.4Ω@1.7A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：28334，"14+"：39000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUS3A39PZCTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2078LCA3-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：228pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT458P
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT458P
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3453DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：165mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT458P
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT458P
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2130LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：7.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT458P
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3413_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：522pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5803TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@3.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5803TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@3.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT458P
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3453DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：165mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2078LCA3-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：228pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2130LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：7.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@16V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2078LCA3-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：228pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT458P
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5803TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@3.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5803TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@3.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5803TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@3.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2078LCA3-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：228pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2078LCA3-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：228pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：78mΩ@500mA，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5803TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@3.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF5803TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：112mΩ@3.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
