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    连续漏极电流: 2.1A
    包装方式: 卷带(TR)
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    工作温度: -55℃~150℃
    类型: P沟道
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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2104V-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:850mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@16V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8817DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8817DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:19nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2104V-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:850mW

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    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订18个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订18个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2104V-7

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    功率:850mW

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    类型:P沟道

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    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV65UPR 起订12个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV65UPR 起订12个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV65UPR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:458pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8817DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

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    栅极电荷:19nC@8V

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    连续漏极电流:2.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@1A,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订10个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8817DB-T2-E1

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    功率:500mW

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    类型:P沟道

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订1000个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8817DB-T2-E1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2104V-7

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    功率:850mW

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2104V-7

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    包装方式:卷带(TR)

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    规格型号(MPN):SI8817DB-T2-E1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订100个装
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2104V-7

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2104V-7

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8817DB-T2-E1

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    功率:500mW

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8817DB-T2-E1

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    功率:500mW

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    栅极电荷:19nC@8V

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    输入电容:615pF@10V

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    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@1A,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2104V-7

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    功率:850mW

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    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@16V

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    类型:P沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订20个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2104V-7

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    功率:850mW

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    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV65UPR 起订50个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV65UPR 起订50个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV65UPR

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    栅极电荷:8.7nC@4.5V

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    类型:P沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订9000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订9000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2104V-7

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    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@16V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV65UPR 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV65UPR 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV65UPR

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    导通电阻:70mΩ@2.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2104V-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:850mW

    阈值电压:1V@250µA

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    输入电容:320pF@16V

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    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8817DB-T2-E1 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:19nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:76mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV65UPR 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV65UPR 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV65UPR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:458pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2104V-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:850mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@16V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2104V-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:850mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@16V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV65UPR 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV65UPR 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV65UPR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:458pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@2.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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