品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":90000,"08+":5300}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4401PT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:155mΩ@2.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":90000,"08+":5300}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4401PT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:155mΩ@2.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4401PT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:155mΩ@2.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":1127,"06+":1768,"07+":1169400,"9999":750}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4401PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:155mΩ@2.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4401PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:155mΩ@2.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4401PT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:155mΩ@2.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4401PT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:155mΩ@2.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVGS5120PT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:942pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
反向传输电容:48pF@30V
导通电阻:72mΩ@10V,2.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVGS5120PT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:942pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
反向传输电容:48pF@30V
导通电阻:72mΩ@10V,2.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":90000,"08+":5300}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4401PT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:155mΩ@2.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4401PT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:155mΩ@2.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVGS5120PT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:942pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:1个P沟道
反向传输电容:48pF@30V
导通电阻:72mΩ@10V,2.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHD4401PT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:155mΩ@2.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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