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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：21000，"MI+"：2000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：21000，"MI+"：2000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：21000，"MI+"：2000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF8NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.85Ω@3.15A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF8NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
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库存：
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STF8NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
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库存：
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销售单位：个
规格型号(MPN)：STF8NK100Z
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功率：40W
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：21000，"MI+"：2000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF8NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
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包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.85Ω@3.15A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4A，10V
漏源电压：500V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF8NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
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库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF8NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
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包装方式：管件
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连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.85Ω@3.15A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF8NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.85Ω@3.15A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF8N50NZU
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：FDPF8N50NZU
漏源电压：500V
栅极电荷：18nC@10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@4A，10V
包装方式：管件
连续漏极电流：6.5A
输入电容：735pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF8NK100Z
输入电容：2180pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
导通电阻：1.85Ω@3.15A，10V
类型：N沟道
漏源电压：1000V
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
阈值电压：4.5V@100µA
连续漏极电流：6.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF8NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.85Ω@3.15A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF8NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.85Ω@3.15A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF8NK100Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：102nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：1.85Ω@3.15A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
