采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS32136C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2038USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：14.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1496pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：38mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM260P02CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：19.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1670pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9926A
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2038USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：14.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1496pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：38mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9926A
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C065BCTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS32136C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2025UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：486pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C065BCTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2038USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1496pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：38mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLMS2002TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1310pF@15V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3416
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1160pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS32136C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：850mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：24mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6C065BCTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：22nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG6968U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
