采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2314CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2314CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2314CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2314CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2314CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：11nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@4.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8822UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：841pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：P-Channel
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：P-Channel
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：P-Channel
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：P-Channel
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：P-Channel
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：P-Channel
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：P-Channel
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：P-Channel
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：P-Channel
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：P-Channel
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：P-Channel
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4963BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：P-Channel
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：P-Channel
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN2F30FHQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：4.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：452pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8822UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：841pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG8822UTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：841pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：P-Channel
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：P-Channel
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2035U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1610pF@10V
连续漏极电流：4.9A
类型：P-Channel
导通电阻：35mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
