采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4953DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4953DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4953DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4953DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4953DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4953DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4953DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4953DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4953DCS RLG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：60mΩ@4.9A，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：745pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
功率：2.5W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4953DCS RLG
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：60mΩ@4.9A，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：745pF@15V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
功率：2.5W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6913DQ-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：900mV@400µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7316GTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6913DQ-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：900mV@400µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6913DQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：900mV@400µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7316TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6913DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：900mV@400µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6913DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：900mV@400µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6913DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：900mV@400µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6913DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：900mV@400µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6913DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：900mV@400µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6913DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：900mV@400µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6913DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：900mV@400µA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7316GTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6913DQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：900mV@400µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6913DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：900mV@400µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7316GTRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@25V
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6913DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：900mV@400µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6913DQ-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：900mV@400µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI6913DQ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：900mV@400µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4963BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：32mΩ@6.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
