采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19537Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€83W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC50N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2808pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N10S3L16ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4180pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19537Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€83W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19537Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€83W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70090E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19537Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€83W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H015LK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：33.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1871pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB50N10S3L16ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.4V@60µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4180pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19537Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€83W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC50N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2808pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19537Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€83W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19537Q3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€83W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19537Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€83W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC50N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2808pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19537Q3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€83W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19537Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€83W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N10S3L16ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4180pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N10-8M9L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCAC50N10Y-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2808pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N10S3L16ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4180pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19537Q3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€83W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6332，"23+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N10S3L16ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4180pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1570，"21+"：441，"22+"：1101}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB50N10S3L16ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.4V@60µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4180pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：15.4mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19537Q3T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.8W€83W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@50V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
