品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3950pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1615,"20+":2451,"23+":9336,"MI+":2417}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S207ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:4V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4660pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.1mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P03P4L11ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3770pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10.5mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD50P03LGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3007SCGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2826pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD50P03LGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3007SCG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:64.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2826pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:6.8mΩ@11.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA02DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€71.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6150pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5250pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P03P4L11ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:2V@85µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3770pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10.5mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4660pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.1mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P03P4L11ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3770pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10.5mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD04N03LB G
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:2V@70µA
栅极电荷:40nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5250pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P03-07_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:146nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5490pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":2299,"13+":2925,"15+":2599,"19+":18000,"20+":9868,"9999":2373}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP202-TL-H
工作温度:150℃
功率:40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50P03P4L11ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:2V@85µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3770pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10.5mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN9R8-30MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:10.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:690pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD50P03LGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR164DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€69W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3950pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5250pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N03S4L06ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2330pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH3010LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6807pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS27DN-T1-GE3
工作温度:-50℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5250pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:5.6mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: