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    连续漏极电流
    50A
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    46W
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    连续漏极电流: 50A
    行业应用: 工业
    类型: N沟道
    功率: 46W
    当前匹配商品:80+
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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLWFAFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLWFAFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C673NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:4V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@6V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订3个装
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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:4V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@6V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.2V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:4V@17µA

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@6V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLAFT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLAFT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C673NLAFT1G

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    功率:46W

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    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订5个装
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    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

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    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

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    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLAFT1G 起订500个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C673NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

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    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.2V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.2V@17µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.2V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    AOS Mosfet场效应管 AON7140 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7140 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7140

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:4V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@6V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.2V@17µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:4V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@6V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.2V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    AOS Mosfet场效应管 AON7140 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7140 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7140

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    AOS Mosfet场效应管 AON7140 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7140 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7140

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:4V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@6V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.2V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:4V@17µA

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@6V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7140 起订3个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7140 起订3个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7140

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLAFT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLAFT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C673NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2V@35µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLWFAFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLWFAFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C673NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2V@35µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.2V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订1186个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订1186个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":8305,"23+":25027,"24+":1585,"MI+":17588}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.2V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:4V@17µA

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@6V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLAFT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C673NLAFT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C673NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2V@35µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订1186个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订1186个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5000,"23+":38611,"MI+":41339}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:4V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1780pF@6V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    AOS Mosfet场效应管 AON7140 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7140 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7140

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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