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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH50N50P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4335pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@25A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH50N50P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4335pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@25A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFQ50N50P3
漏源电压：500V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：120mΩ@25A，10V
类型：N沟道
栅极电荷：85nC@10V
功率：960W
连续漏极电流：50A
包装方式：管件
输入电容：4335pF@25V
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_GE3
输入电容：4000pF@25V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
类型：N沟道
栅极电荷：85nC@10V
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：50A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH50N50P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4335pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@25A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3
输入电容：4000pF@25V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
类型：N沟道
栅极电荷：85nC@10V
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：50A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3
输入电容：4000pF@25V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
类型：N沟道
栅极电荷：85nC@10V
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：50A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_T4GE3
输入电容：4000pF@25V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
类型：N沟道
栅极电荷：85nC@10V
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：50A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFQ50N50P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960W
阈值电压：5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4335pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@25A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD50N04-5M6_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
