采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8453LZ-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3515pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6021SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6021SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8453LZ-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3515pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6021SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8453LZ-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3515pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8453LZ-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3515pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6021SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8447L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@14A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8453LZ-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3515pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9410L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1949pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6021SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1143pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH8012LK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：46.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2051pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
